Uma avaliação dos potencias LDA, GGA-PBEsol, BJ, mBJ original, mBJ P-presente e mBJ P-semicondutor em cálculos dos band gaps dos semicondutores: ZnO, GaN, TiO2 e SnO2 utilizando a teoria funcional da densidade
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ژورنال
عنوان ژورنال: Scientia Plena
سال: 2017
ISSN: 1808-2793
DOI: 10.14808/sci.plena.2017.034801